7月16日从安徽大学获悉,该校杜海峰教授带领新型拓扑磁性材料与存储器件团队,运用聚焦离子束微纳器件制备技术,制备出了世界上最小尺寸的斯格明子赛道器件单元。
该单元赛道宽度为100纳米,实现了纳秒电脉冲驱动下,100纳米宽度赛道中80纳米磁斯格明子一维、稳定、高效的运动,为构筑高密度、高速度、可靠的新型拓扑磁电子学器件提供了重要支撑。相关研究成果日前发表在《自然·通讯》上。
作为一种非平庸拓扑特性的磁结构,磁斯格明子因具有尺寸小、稳定性高、电流易操控等优点,有望作为下一代数据载体,用于构筑新型的磁电子学器件。
研究人员表示,他们的研究展示了纳米赛道中磁斯格明子高速、稳定的运动特性,为基于磁斯格明子器件的构筑奠定了基础。