4月9日从合肥晶合集成电路有限公司(以下简称“晶合集成”)获悉,晶合集成55纳米单芯片、高像素背照式图像传感器(BSI)迎来批量生产,将极大赋能智能手机的不同应用场景,实现由中低端向中高端应用跨越式迈进。
据介绍,继90纳米CIS和55纳米堆栈式CIS实现量产之后,晶合集成CIS再添新产品。近期,晶合集成规划CIS产能将在今年内迎来倍速增长,出货量占比将显著提升,成为显示驱动芯片之外的第二大产品主轴。
近年来,5000万像素CIS已在智能手机配置上加速渗透。晶合集成与国内设计公司合作,基于自主研发的55纳米工艺平台,使用背照式工艺技术复合式金属栅栏,不仅提升了产品进光量,还兼具高动态范围、超低噪声、PDAF相位检测对焦等优势。
此外,该技术采用单芯片技术架构,既减少芯片用量,也缩短了芯片生产周期,同时将像素规格微缩20%,像素尺寸达到0.702微米,整体像素提高至5000万水准,将广泛应用在智能手机主摄、辅摄及前摄镜头等。